Numéro de produit du fabricant:
TSM4N70CH C5G
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM4N70CH C5G-DG
Description:
MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251
Description détaillée:
N-Channel 700 V 3.5A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventaire:
12895106
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SOUMETTRE
TSM4N70CH C5G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
595 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
56W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251 (IPAK)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
TSM4N70CHC5G
TSM4N70CH C5G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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